STW20NM60

N-Канальный 600V 20A 192W 0,25R

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STW20NM60	3	204.60

Версия для печати

Технические характеристики STW20NM60

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MDmesh™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	54nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1500pF @ 25V
Power - Max	192W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB20NM60 (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-CHANNEL 600V - 0.25 Ohm - 20A TO-220 / FP / DР† / IР†PAK / TO-247 MDmeshTM MOSFET

Также в этом файле: STW20NM60

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

STW20NM60 datasheet
356.74Kb
15стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	DIODES
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MCC
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления		15 580	1.32
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WTE
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MIC	18 877	3.22
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	КИТАЙ
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY ME
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KINGTRONICS
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	SUNTAN	268	2.68
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KLS
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WUXI XUYANG
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	HOTTECH
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE (YJ)
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YJ
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	CTK
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YIXING
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KOME	3 223	2.56
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KEEN SIDE	16 000	1.21
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	RUME
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	2694
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	2692
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	4	22.48
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		794	55.20
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	3 328	35.28
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	5
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	81.20
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...		15	79.98
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	DMS
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	МЕКСИКА
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INFINEON
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	24
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	1
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	MINOS
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	EVVO	6 003	30.31
IXDD614CI		Clare
IXDD614CI		IXYS
IXDD614CI
IXDD614CI		4-7 НЕДЕЛЬ
R16-503AD-R LOCK			6 520	45.81
R16-503AD-R LOCK			6 520	45.81
R16-503AD-R LOCK		RUICHI

STW20NM60

N-Канальный 600V 20A 192W 0,25R

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают: