|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
56
|
43.72
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
2 000
|
24.52
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
1 094
|
29.21
|
|
|
|
SGP15N120 |
|
IGBT транзистор 1200В, 30А, 198Вт
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SGP15N120 |
|
IGBT транзистор 1200В, 30А, 198Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SGP15N120 |
|
IGBT транзистор 1200В, 30А, 198Вт
|
|
|
|
|
|
|
STW20NM60 |
|
N-Канальный 600V 20A 192W 0,25R
|
ST MICROELECTRONICS
|
83
|
291.42
|
|
|
|
STW20NM60 |
|
N-Канальный 600V 20A 192W 0,25R
|
|
|
1 820.00
|
|
|
|
STW20NM60 |
|
N-Канальный 600V 20A 192W 0,25R
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STW20NM60 |
|
N-Канальный 600V 20A 192W 0,25R
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
140
|
353.27
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
|
144
|
283.82
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
|
144
|
283.82
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 200
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DC COMPONENTS
|
45 552
|
2.69
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIC
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SMK
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIOTEC
|
85 159
|
4.02
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
MIC
|
89 112
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YJ
|
935 556
|
1.79
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
|
93 616
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
HOTTECH
|
611 699
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SEMTECH
|
8
|
7.07
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
TOS
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
0.00
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YOUTAI
|
96 411
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
KOME
|
4 800
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YANGJIE
|
360 000
|
1.58
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
CJ
|
5 256
|
2.04
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
JINGDAO
|
1 916
|
2.00
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
TRR
|
408 000
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SUNMATE
|
9 745
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.31
|
|