HER108

Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
HER108	11 580	1.06
HER108 (MIC)	15 152	1.36
HER108 (SUNTAN)	1 147	2.43
HER108 (CTK)	159	4.52
HER108 (YIXING)	8 000	1.49
HER108 (KOME)	7 216	2.31

Диод из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency Rectifiers) с малым временем восстановления.
Uобр.max (постоянное) 1000V
Uобр.max (импульсное, повтор.) 1000V
Uобр.max (действующее) 700VA
CIпрям.max (при t=+50°C) 1A*
Iпрям.имп.max (8,3mS) 30A
Uпрям. (не более) 1,7V
Iобр. (при t=+25°C, не более) 5µA**
C (ёмкость перехода) 12pF
Диапазон температур -55..+150°C
Время воcстановления < 75nS
Вес 0,33g
Тип корпуса DO-41

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HER10xS (Высокоэффективные диоды)

1.0 Amp High Efficient Rectifiers 50 to 1000 Volts

Также в этом файле: HER108S

Производитель:
Micro Commercial Components
//www.mccsemi.com

HER108 datasheet
390.71Kb
2стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MICRO SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NXP	3 958	1.88 >100 шт. 0.94
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS	73 741	1.05
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DC COMPONENTS	807	2.27
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВТР
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC	162 939	1.57
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ST MICROELECTRONICS	15 183	1.06 >100 шт. 0.53
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MIC	6 288	1.40 >100 шт. 0.70
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DI
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	БРЕСТ
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD	6 800	1.05
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD	2 439
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NXP
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	OTHER	256
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	Fairchild Semiconductor
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	Micro Commercial Co
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	YANGJIE
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	КИТАЙ	51 200	1.68 >100 шт. 0.84
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS SEMIC
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MCC
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FSC
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В		185 132	3.70
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	KINGTRONICS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NEXPERIA
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	SEMTECH	103 262	1.68 >100 шт. 0.84
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ONS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ROHS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	YJ	72 048	1.68 >100 шт. 0.84
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	KATO	800
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	SEHTECH
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ONS-FAIR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY ME
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	51 612
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ON SEMICONDUCTOR	1 332
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	KLS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	SUNTAN
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	HOTTECH	145 886	1.22 >100 шт. 0.61
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MIG	17 439	1.05
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	YANGJIE (YJ)
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)	21 425	1.68 >100 шт. 0.84
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	JANGJIE
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PANJIT
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	1
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LGE	148	1.74 >100 шт. 0.87
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	RUME	41 200	1.08 >100 шт. 0.54
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	CTK	40 322	1.56 >100 шт. 0.78
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	KEEN SIDE	6	1.02 >500 шт. 0.34
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	SENOCN	280	1.60 >100 шт. 0.80
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВЕТОТРОН	14	2.18
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MICRO SEMICONDUCTOR
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MCC
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	FAIR
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	4 172	3.09
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	SMK
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MIC	28 092	2.11
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	YJ	6 132	3.10
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	3 692
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR	21
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR	80
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	OTHER
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON	240
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS SEMI
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	YJ ELECTRONIC
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	Fairchild Semiconductor
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	Vishay/Semiconductors
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	STMicroelectronics
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	КИТАЙ	312	3.15
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	LESHAN RADIO COMPANY, LTD	43 351
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MOTOROLA
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	RECTIFIER
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	DIODES INC.	14
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MMC
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MIG
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А		6 363	1.83
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MULTICOMP
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	KINGTRONICS
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ONS-FAIR
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY ME
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	JY
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	KLS
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	SUNTAN	236	1.68
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE	4 000	2.34
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE (YJ)
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	WUXI XUYANG
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	SEMTECH
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MIС
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ASEMI
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	HOTTECH
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	1
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	KEEN SIDE
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ST/YJ	78	3.15
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	7 004	3.58
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 711	3.90
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	792	11.34
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		3 040	1.96 >100 шт. 0.98
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	68 879	0.65 >1000 шт. 0.13
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	2.00 >100 шт. 1.00
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 580	1.80
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	72	1.46 >100 шт. 0.73
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	2 000	1.96 >100 шт. 0.98
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	11.34
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	2 576	3.65
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	2 718	4.04
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		21 448	1.06
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	333	1.73
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.17
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	4 132	1.52
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEEN SIDE	5 080	1.72 >100 шт. 0.86
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MERRYELC	2 096	1.27
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	7	37.40
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		213	24.52
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	2 007	19.61

HER108

Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Диоды

С этим товаром покупают: