IRFL4105
Транзистор полевой N-MOS 55V, 3.7A, 2.1W
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 660pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFL4105 (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET
Производитель:
|
