2SK1358
Транзистор полевой N-MOS 900V, 9A, 150W
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SK1358 (Полевые МОП транзисторы) Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N4001 (1A 50V) |
|
Выпрямительный диод 50В, 1А |
|
|
||
 |
|
1N5406 (3A 600V) |
|
Диод 600V, 3A |
|
|
||
 |
|
2SA1371 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 300V, 0,1A, 1W, 150MHz | SANYO |
|
|
|
|
|
|
2SA1371 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 300V, 0,1A, 1W, 150MHz |
|
58.76 | ||
|
|
|
2SA1371 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 300V, 0,1A, 1W, 150MHz | SAN |
|
|
|
|
|
|
2SA1371 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 300V, 0,1A, 1W, 150MHz | США |
|
|
|
|
|
|
2SA1371 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 300V, 0,1A, 1W, 150MHz | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|
| BT152-600 |
|
|
||||||
| BT152-600 |
|
|
||||||
 |
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт |
|
339.44 | ||
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт | INFINEON |
|
|
