| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
SF36 |
|
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
|
9 320
|
4.59
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
КОМ
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
MIC
|
6
|
9.17
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
GALAXY ME
|
348
|
10.38
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
KLS
|
211
|
8.86
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
YANGJIE
|
8 400
|
6.83
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
TRR
|
4 000
|
4.64
|
|
 |
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
|
3 047
|
3.78
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
ТАШКЕНТ
|
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
СЗТП
|
3
|
16.53
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
РОССИЯ
|
10
|
4.72
|
|
|
|
|
КТ203В |
|
|
|
20
|
105.84
|
|
|
|
|
КТ203В |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ203В |
|
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
1 066
|
11.34
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
12.47
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 443
|
4.20
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 942
|
6.30
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
766
|
8.40
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
190
|
850.50
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
16
|
552.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
172
|
1 312.50
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
