| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BT139-600 |
|
Тиристор 16A 600В Igt=35мА
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BT139-600 |
|
Тиристор 16A 600В Igt=35мА
|
|
|
114.84
|
|
|
|
|
BT139-600 |
|
Тиристор 16A 600В Igt=35мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
482
|
259.07
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
504
|
363.95
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
872
|
363.36
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
|
|
1 329.60
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
L7915ACV |
|
ИМС
|
ST MICROELECTRONICS
|
316
|
56.99
|
|
|
|
|
L7915ACV |
|
ИМС
|
|
|
55.36
|
|
|
|
|
L7915ACV |
|
ИМС
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
L7915ACV |
|
ИМС
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L7915ACV |
|
ИМС
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L7915ACV |
|
ИМС
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
379
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
27
|
25.41
|
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
|
|
48.00
|
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
ONS
|
259
|
43.20
|
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
197
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
27
|
|
|
Версия для печати
