IRFB4229
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 26A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 46A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4560pF @ 25V |
| Power - Max | 330W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BYV26E-TAP |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57 | VISHAY | 2 714 | 34.93 | |
|
|
|
BYV26E-TAP |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57 |
|
|
||
| FES8JT-E3/45 | VISHAY |
|
|
|||||
| FES8JT-E3/45 | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| FES8JT-E3/45 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| FJP13007H2[MJE13007] | FAIR |
|
|
|||||
| IRFB38N20DPBF |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=43A@T=25C, Rds=0.054 R@Vgs=10V, P=3.8W). | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||
| IRFB38N20DPBF |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=43A@T=25C, Rds=0.054 R@Vgs=10V, P=3.8W). | INTERNATIONAL RECTIFIER | 128 |
|
|||
| IRFB38N20DPBF |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=43A@T=25C, Rds=0.054 R@Vgs=10V, P=3.8W). |
|
|
||||
| IRFB38N20DPBF |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=43A@T=25C, Rds=0.054 R@Vgs=10V, P=3.8W). | INFINEON |
|
|
|||
| IRFB38N20DPBF |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=43A@T=25C, Rds=0.054 R@Vgs=10V, P=3.8W). | INFINEON TECHNOLOGIES |
|
|
|||
| IRS20957S | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRS20957S |
|
|
||||||
| IRS20957S | INFINEON |
|
|
|||||
| IRS20957S | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
