Версия для печати
Технические характеристики IRFB38N20DPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	54 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	43A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	91nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2900pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	FAIR
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	PHILIPS
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	MOTOROLA
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	DC COMPONENTS	5 750	2.26
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	NXP
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	FAIRCHILD
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт		4 143	2.05
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	FAIRCHILD	200
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	MOTOROLA	312
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	NXP	5 000
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	PHILIPS	16 436
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	Fairchild Semiconductor
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	KINGTRON
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	КИТАЙ
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	KEISUM	272	7.23
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	1
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	XINYA	24	56.70
		1N4743A		Стабилитрон 13В, 1Вт	KEEN SIDE	18 156	1.25
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIR
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FSC
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт			1 329.60
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	Fairchild Semiconductor
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	КИТАЙ
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIRCHILD	4	525.21
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS-FAIR
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ON SEMICONDUCTOR
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	81.20
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...		15	79.55
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	DMS
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	МЕКСИКА
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INFINEON
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	24
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	1
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	MINOS	8	20.55
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	EVVO	11 576	14.38
		TL072		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	ST MICROELECTRONICS
		TL072		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	UTC
		TL072		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...			30.00
		TL072		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	65
		ОЭП-12					172.80
		ОЭП-12			ИЗМЕРИТЕЛЬ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"