FES8JT-E3/45


Купить FES8JT-E3/45 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FES8JT-E3/45
Версия для печати

Технические характеристики FES8JT-E3/45

Current - Reverse Leakage @ Vr10µA @ 600V
Current - Average Rectified (Io)8A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5V @ 8A
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Diode TypeStandard
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-2
КорпусTO-220AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop     340 263.38 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIRCHILD 480 366.75 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONS 2 378.47 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт     Заказ радиодеталей 1 329.60 
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   FAIRCHILD 4 525.21 
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFZ44N N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...   INTERNATIONAL RECTIFIER 800 81.20 
IRFZ44N N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFZ44N N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...     15 79.55 
IRFZ44N N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFZ44N N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...   DMS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFZ44N N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...   МЕКСИКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFZ44N N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFZ44N N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...   INTERNATIONAL RECTIFIER 24 цена радиодетали
IRFZ44N N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFZ44N N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...   MINOS 46 20.11 
IRFZ44N N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...   EVVO 19 370 16.41 
  L7915ACV ИМС   ST MICROELECTRONICS 10 37.52 
  L7915ACV ИМС     Заказ радиодеталей 55.36 
  L7915ACV ИМС   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
  L7915ACV ИМС   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
  L7915ACV ИМС   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
  L7915ACV ИМС   4-7 НЕДЕЛЬ 379 цена радиодетали
UC3845BD1R2G ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz   ON SEMICONDUCTOR 23 26.26 
UC3845BD1R2G ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz     Заказ радиодеталей 48.00 
UC3845BD1R2G ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3845BD1R2G ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz   ON SEMICONDUCTOR 197 цена радиодетали
UC3845BD1R2G ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz   4-7 НЕДЕЛЬ 27 цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход