NUP2201MR6T1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
NUP2201MR6T1G (ON SEMICONDUCTOR)	1 152	448.41
NUP2201MR6T1G	2	147.42
NUP2201MR6T1G (ON SEMICONDUCTOR.)	1 401	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NUP2201MR6T1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Reverse Standoff (Typ)	5V
Voltage - Breakdown	6V
Мощность (Ватт)	500W
Polarization	2 Channel Array - Unidirectional
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-74, SOT-457
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NUP2201MR6

Low Capacitance Tsop-6 Diode-tvs Array For High Speed Data Lines Protection

Также в этом файле: NUP2201MR6T1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

NUP2201MR6T1G datasheet
41.94Kb
4стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZX84C5V6-V-GS18		VISHAY
BZX84C5V6-V-GS18		VISHAY
BZX84C5V6-V-GS18
CM453232-330KL		BOURNS
CM453232-330KL			168
IRF7402	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7402	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7402	Hexfet power mosfets discrete n-channel
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 КРАС. 0.5М				33.84
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 КРАС. 0.5М		ПОЛЬША
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 КРАС. 0.5М		ГЕРМАНИЯ
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М				36.08
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М		ПОЛЬША
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М		ГЕРМАНИЯ