|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | UltraFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 60A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 60A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 85nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 145W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
HUF75332G3 60A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs Также в этом файле: HUF75332P3
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
BPW 34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130° | OSRAM |
|
|
|
|
|
|
BPW 34 |
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130° |
|
|
||
| ECAP 100/400V 2225 105C HU5 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 400 В | HIT-AIC |
|
|
|||
| HGTP5N120BND | FSC |
|
|
|||||
| HGTP5N120BND | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| HGTP5N120BND | 3 | 185.00 | ||||||
| HGTP5N120BND | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| UC3845AN | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| UC3845AN | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| UC3845AN |
|
479.40 | ||||||
| UC3845AN | ONS |
|
|
|||||
| UC3845AN | TEXAS |
|
|
|||||
| UC3845AN | 4-7 НЕДЕЛЬ | 539 |
|
|||||
| UF308GT/R | PANJIT |
|
|
|||||
| UF308GT/R | PANJIT | 2 000 |
|