2N7002WT1G
|
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 310mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 24.5pF @ 20V |
| Power - Max | 280mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-70, SOT-323 |
| Корпус | SC-70-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1212-LQH3NP_M02.2UHM | MURATA |
|
|
|||||
| BAV99W (0.2A 80V) |
|
|
||||||
| L-603G |
|
74.40 | ||||||
| L-603G | CPU |
|
|
|||||
| MLZ2012N2R2LT | TDK | 4 692 | 8.78 | |||||
| MLZ2012N2R2LT |
|
|
||||||
| TPS61200DRCT |
|
680.00 | ||||||
| TPS61200DRCT | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS61200DRCT | TEXAS |
|
|
|||||
| TPS61200DRCT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 84 |
|
