PBSS2515E
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 2V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 420MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-75, SOT-416 |
| Корпус | SOT-416 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1212-LQH3NP_M02.2UHM | MURATA |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | ONS | 34 177 | 4.72 | |||||
| 2N7002WT1G | ON SEMICONDUCTOR | 604 |
|
|||||
| 2N7002WT1G |
|
|
||||||
| 2N7002WT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | LRC |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | HOTTECH |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | ONSEMI | 8 | 4.76 | |||||
| 2N7002WT1G | TECH PUB | 13 772 | 1.31 | |||||
| BAV99W (0.2A 80V) |
|
|
||||||
| PMV40UN | NXP |
|
|
|||||
| PMV40UN |
|
|
||||||
| TPS61200DRCT |
|
680.00 | ||||||
| TPS61200DRCT | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS61200DRCT | TEXAS |
|
|
|||||
| TPS61200DRCT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 84 |
|
