PBSS2515E
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 2V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 420MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-75, SOT-416 |
| Корпус | SOT-416 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1212-LQH3NP_M02.2UHM | MURATA |
|
|
|||||
 |
 |
1PS79SB30 |
|
Ограничительный диод шоттки | NXP |
|
|
|
|
|
|
1PS79SB30 |
|
Ограничительный диод шоттки | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
1PS79SB30 |
|
Ограничительный диод шоттки | NXP | 2 296 |
|
|
|
|
|
1PS79SB30 |
|
Ограничительный диод шоттки | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
1PS79SB30 |
|
Ограничительный диод шоттки |
|
13.64 | ||
| 2N7002WT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | ONS |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | ON SEMICONDUCTOR | 604 |
|
|||||
| 2N7002WT1G |
|
|
||||||
| 2N7002WT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | LRC |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | HOTTECH |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | ONSEMI | 2 | 5.06 | |||||
| 2N7002WT1G | TECH PUB | 12 029 |
1.98 >100 шт. 0.99 |
|||||
| MLZ2012N2R2LT | TDK |
|
|
|||||
| MLZ2012N2R2LT |
|
|
||||||
| TPS61200DRCT |
|
680.00 | ||||||
| TPS61200DRCT | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS61200DRCT | TEXAS |
|
|
|||||
| TPS61200DRCT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 84 |
|
