PMV40UN
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 445pF @ 30V |
| Power - Max | 1.9W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1212-LQH3NP_M02.2UHM | MURATA |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | ONS |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | ON SEMICONDUCTOR | 604 |
|
|||||
| 2N7002WT1G |
|
|
||||||
| 2N7002WT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | LRC |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | HOTTECH |
|
|
|||||
| 2N7002WT1G | ONSEMI | 2 | 4.24 | |||||
| 2N7002WT1G | TECH PUB | 7 549 |
1.94 >100 шт. 0.97 |
|||||
| BAV99W (0.2A 80V) |
|
|
||||||
| MLZ2012N2R2LT | TDK |
|
|
|||||
| MLZ2012N2R2LT |
|
|
||||||
| TPS61200DRCT |
|
680.00 | ||||||
| TPS61200DRCT | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS61200DRCT | TEXAS |
|
|
|||||
| TPS61200DRCT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 84 |
|
