| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
|
|
19.40
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
56
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
SMCMICRO
|
1 222
|
13.48
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
SMC
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
KLS
|
|
|
|
|
|
10BQ040TR |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
LGE
|
1 643
|
8.69
|
|
|
|
|
A2175-HBT-TC.GN |
|
(JA1751H2B (B22Н) ) вентилятор 220В, 172х150х51мм, подшипник качения 2600 об/мин
|
SUNON
|
|
|
|
|
|
|
A2175-HBT-TC.GN |
|
(JA1751H2B (B22Н) ) вентилятор 220В, 172х150х51мм, подшипник качения 2600 об/мин
|
|
8
|
6 105.00
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
ONS
|
91
|
402.95
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
ONS-FAIR
|
1 432
|
257.72
|
|
|
|
|
IKW50N60H3FKSA1 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IKW50N60H3FKSA1 |
|
|
|
184
|
227.76
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
|
17
|
293.42
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
|
17
|
293.42
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 200
|
|
|