Версия для печати
Технические характеристики MURS160T3G

Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 600V
Current - Average Rectified (Io)	2A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 1A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	75ns
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AA, SMB
Корпус	SMB

MURS160T3 Surface Mount Ultrafast Power Rectifiers Также в этом файле: MURS160T3G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com MURS160T3G datasheet 83.91Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

Синонимы от поставщиков: MURS160T3G ; MURS-160T3G ; MURS 160T3G ; MURS — 160T3G ; MURS160T3G ; диод MURS160T3G ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CA56-12EWA		Сегментный светодиод 14.2мм 4х7 красный ОА, 4.7мКд	KB
		CA56-12EWA		Сегментный светодиод 14.2мм 4х7 красный ОА, 4.7мКд	KINGBRIGHT	60	187.58
		CA56-12EWA		Сегментный светодиод 14.2мм 4х7 красный ОА, 4.7мКд			168.24
		CA56-12EWA		Сегментный светодиод 14.2мм 4х7 красный ОА, 4.7мКд	КИТАЙ
		CA56-12EWA		Сегментный светодиод 14.2мм 4х7 красный ОА, 4.7мКд	KGB
		CC0603KRX7R7BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,(10%), 0603, 16В	YAGEO	2 337 544	0.99  >500 шт.   0.33
		CC0603KRX7R7BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,(10%), 0603, 16В	YAGEO	2 560
		CC0603KRX7R7BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,(10%), 0603, 16В
		CC0603KRX7R7BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,(10%), 0603, 16В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC0603KRX7R7BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,(10%), 0603, 16В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC0603KRX7R7BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,(10%), 0603, 16В	PHYCOMP
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	4 583	7.28
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		1 165	2.96
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	50 815	3.04
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	24.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	3 360	8.27
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	268	4.27
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	84 567	2.78
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	8 280	4.47
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	2.91
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	77	10.39
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	22 663	4.11
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	7 600	1.88
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	45 600	2.03
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	6.12
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KEEN SIDE	416	2.61
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	8560
		PIC16F886-I/SO		ИМС CPU 8kx14 Flash	MICRO CHIP
		PIC16F886-I/SO		ИМС CPU 8kx14 Flash		26	572.04
		PIC16F886-I/SO		ИМС CPU 8kx14 Flash	MICRO CHIP
		PIC16F886-I/SO		ИМС CPU 8kx14 Flash	Microchip Technology
		PIC16F886-I/SO		ИМС CPU 8kx14 Flash	MCHIP
		PIC16F886-I/SO		ИМС CPU 8kx14 Flash	МОСКВА
		PIC16F886-I/SO		ИМС CPU 8kx14 Flash	4-7 НЕДЕЛЬ	632
		PIC16F886-I/SO		ИМС CPU 8kx14 Flash	602
		RC0603FR-071ML			YAGEO	1 236 659	0.60  >1000 шт.   0.12
		RC0603FR-071ML			YAGEO	105 600
		RC0603FR-071ML

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"