| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805-100 1% |
|
ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 100Ом, 1%, 0,125Вт
|
FAITHFUL LINK
|
|
|
|
|
|
0805-100 1% |
|
ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 100Ом, 1%, 0,125Вт
|
|
|
1.24
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
DC COMPONENTS
|
6 314
|
1.08
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
DIOTEC
|
45 600
|
1.51
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
|
2 704
|
1.11
>500 шт. 0.37
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIRCHILD
|
8 101
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
PHILIPS
|
11 428
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ZTX
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
JSCJ
|
13 149
|
2.84
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
SZOMK
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
3
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
|
|
8.28
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
41
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KEENSIDE
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KEEN SIDE
|
8 920
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
|
LM2671M-5.0 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2671M-5.0 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM2671M-5.0 |
|
|
|
|
314.68
|
|
|
|
|
LM2671M-5.0 |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM2671M-5.0 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM2671M-5.0 |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM2671M-5.0 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
|
|
310.44
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
США
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|