| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Напряжение питания | 3.5 V ~ 30 V, ±1.75 V ~ 15 V |
| Тип выхода | MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL |
| Число элементов | 1 |
| Тип | General Purpose |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
|
|
8.28
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
41
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KEENSIDE
|
32
|
2.08
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KEEN SIDE
|
12 080
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
|
1 759
|
2.10
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
HOTTECH
|
42 419
|
2.09
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
HUASHUO
|
28 404
|
2.25
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
YOUTAI
|
43 698
|
1.86
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
UMW
|
12 800
|
3.10
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
KUU
|
4 002
|
1.88
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
PLINGSEMIC
|
13 700
|
1.88
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
KEEN SIDE
|
620
|
2.13
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
KGB
|
772
|
97.97
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
KB
|
|
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
|
|
38.56
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
620
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
15
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛИ1 |
|
4 двухвходовых логических элемента 2И
|
|
1
|
56.70
|
|
|
|
|
К155ЛИ1 |
|
4 двухвходовых логических элемента 2И
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛИ1 |
|
4 двухвходовых логических элемента 2И
|
МИОН
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛИ1 |
|
4 двухвходовых логических элемента 2И
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛИ1 |
|
4 двухвходовых логических элемента 2И
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛИ1 |
|
4 двухвходовых логических элемента 2И
|
ИНТЕГРАЛ
|
7
|
123.98
|
|
Версия для печати
