| Корпус | 8-SOIC | 
                                                    
                                | Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 
                                                    
                                | Тип монтажа | Поверхностный | 
                                                    
                                | Напряжение питания | 3.5 V ~ 30 V, ±1.75 V ~ 15 V | 
                                                    
                                | Тип выхода | MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL | 
                                                    
                                | Число элементов | 1 | 
                                                    
                                | Тип | General Purpose | 
                                                    
                                | Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant | 
                                                    
                                | Output Type | MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL | 
                        
                    
                              
                
                
							
								|  |  | Наименование |  | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | 
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS216 |   | Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS216 |   | Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS216 |   | Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS216 |   | Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс |  |   | 8.28 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS216 |   | Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS216 |   | Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | PHILIPS | 41 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS216 |   | Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | KLS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS216 |   | Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | KEENSIDE |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS216 |   | Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | ASEMI |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAS216 |   | Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | KEEN SIDE | 25 382 | 1.72 >100 шт.   0.86
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | KTIR0611S |   | Датчик оптоэлектронный | KINGBRIGHT |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | KTIR0611S |   | Датчик оптоэлектронный | KGB |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | KTIR0611S |   | Датчик оптоэлектронный | KB |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | KTIR0611S |   | Датчик оптоэлектронный |  |   | 38.56 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | KTIR0611S |   | Датчик оптоэлектронный | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | KTIR0611S |   | Датчик оптоэлектронный | 4-7 НЕДЕЛЬ | 620 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555N |   | Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА | NEC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555N |   | Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА | ST MICROELECTRONICS | 266 | 32.13 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555N |   | Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА | UTC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555N |   | Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА |  | 32 | 14.76 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555N |   | Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА | STMICROELECTRONICS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555N |   | Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА | ST MICROELECTRONICS SEMI | 5 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555N |   | Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА | Fairchild Semiconductor |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555N |   | Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА | ST MICROELECTR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555N |   | Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555N |   | Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА | ST1 |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555N |   | Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА | ST MICROELECTRO |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555N |   | Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА | STMICROELECTR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555N |   | Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА | HGSEMI | 2 820 | 8.40 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555N |   | Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА | 4-7 НЕДЕЛЬ | 552 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | PIC12F629-I/P |   | Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ... | MICRO CHIP | 40 | 158.76 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | PIC12F629-I/P |   | Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ... |  | 712 | 129.55 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | PIC12F629-I/P |   | Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ... | MICRO CHIP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | PIC12F629-I/P |   | Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ... | Microchip Technology |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | PIC12F629-I/P |   | Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ... | ТАИЛАНД |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | PIC12F629-I/P |   | Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ... | ATMEL |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | PIC12F629-I/P |   | Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ... | 1 |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | PIC12F629-I/P |   | Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ... | 4-7 НЕДЕЛЬ | 761 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | МЛТ-2-47КJ |  |  |  |   |   |  |