| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Напряжение питания | 3.5 V ~ 30 V, ±1.75 V ~ 15 V |
| Тип выхода | MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL |
| Число элементов | 1 |
| Тип | General Purpose |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
|
|
8.28
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
41
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KEENSIDE
|
1
|
1.27
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRLML5203TR |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML5203TR |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
|
|
16.44
|
|
|
|
|
IRLML5203TR |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML5203TR |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML5203TR |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML5203TR |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
VBSEMI
|
5 933
|
5.34
|
|
|
|
|
IRLML5203TR |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
TECH PUB
|
3 276
|
4.31
|
|
|
|
|
IRLML5203TR |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
TRR
|
1 967
|
8.45
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
KGB
|
|
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
KB
|
6 119
|
96.12
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
|
|
38.56
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
620
|
|
|
|
|
|
LM317LBD |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM317LBD |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM317LBD |
|
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
LM317LBD |
|
|
|
|
48.00
|
|
|
|
|
LM317LBD |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM317LBD |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM317LBD |
|
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
LM317LBD |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
76
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МЕЗОН КИШИНЁВ
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ВИННИЦА
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
|
1 373
|
37.80
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
СПЛАВ
|
800
|
73.36
|
|
Версия для печати
