| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Напряжение питания | 3.5 V ~ 30 V, ±1.75 V ~ 15 V |
| Тип выхода | MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL |
| Число элементов | 1 |
| Тип | General Purpose |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
|
|
8.28
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
41
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KEENSIDE
|
32
|
2.07
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KEEN SIDE
|
12 080
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
|
1 520
|
2.10
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
HOTTECH
|
31 980
|
2.07
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
HUASHUO
|
28 404
|
2.23
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
YOUTAI
|
43 026
|
1.67
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
UMW
|
12 800
|
3.10
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
KUU
|
4 002
|
1.86
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
PLINGSEMIC
|
14 460
|
1.85
|
|
|
|
|
IRLML5203 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
KEEN SIDE
|
620
|
2.18
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
KGB
|
692
|
95.73
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
KB
|
|
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
|
|
38.56
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
620
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
15
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
LM317EMP/NOPB |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SR-25-470 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 25 В
|
TREC
|
|
|
|
|
|
|
SR-25-470 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 25 В
|
NA
|
|
|
|
|
|
|
SR-25-470 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 25 В
|
|
|
11.04
|
|
Версия для печати
