| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Напряжение питания | 3.5 V ~ 30 V, ±1.75 V ~ 15 V |
| Тип выхода | MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL |
| Число элементов | 1 |
| Тип | General Purpose |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
|
|
8.28
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
41
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KEENSIDE
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KEEN SIDE
|
9 920
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BC56-12EWA |
|
Cемисегментный индикатор, 3-х разрядный, красный, h симв.=14,2mm (Iv=2,2.9 mcd@I=10mA, ...
|
KB
|
|
|
|
|
|
BC56-12EWA |
|
Cемисегментный индикатор, 3-х разрядный, красный, h симв.=14,2mm (Iv=2,2.9 mcd@I=10mA, ...
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
BC56-12EWA |
|
Cемисегментный индикатор, 3-х разрядный, красный, h симв.=14,2mm (Iv=2,2.9 mcd@I=10mA, ...
|
KGB
|
|
|
|
|
|
BC56-12EWA |
|
Cемисегментный индикатор, 3-х разрядный, красный, h симв.=14,2mm (Iv=2,2.9 mcd@I=10mA, ...
|
|
|
116.12
|
|
|
|
BC56-12EWA |
|
Cемисегментный индикатор, 3-х разрядный, красный, h симв.=14,2mm (Iv=2,2.9 mcd@I=10mA, ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC56-12EWA |
|
Cемисегментный индикатор, 3-х разрядный, красный, h симв.=14,2mm (Iv=2,2.9 mcd@I=10mA, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC56-12EWA |
|
Cемисегментный индикатор, 3-х разрядный, красный, h симв.=14,2mm (Iv=2,2.9 mcd@I=10mA, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
KGB
|
160
|
86.99
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
KB
|
|
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
|
|
38.56
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
KTIR0611S |
|
Датчик оптоэлектронный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
|
|
310.44
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
США
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
OP282GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
СПЛАВ РОЗЕ |
|
|
СИНТРОНИК
|
|
|
|
|
|
|
СПЛАВ РОЗЕ |
|
|
|
|
|
|