| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
CC1206KKX7R9BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В
|
YAGEO
|
420 030
|
2.25
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R9BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В
|
|
|
33.48
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R9BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R9BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
 |
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210
|
BOURNS
|
3 122
|
25.83
|
|
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210
|
|
|
19.84
|
|
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210
|
ВОURNS
|
|
|
|
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210
|
1
|
|
|
|
|
|
|
CRCW1206330RJNEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
CRCW1206330RJNEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
CRCW1206330RJNEA |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
60 600
|
3.01
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
1
|
5.52
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
65 919
|
7.81
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
275 614
|
3.10
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
320 346
|
7.88
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
UMW
|
12 000
|
3.10
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
1930
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
2655
|
|
|
|
|
|
|
SM5818 |
|
диод Шоттки SMD (30В, 1А/30А)
|
DC COMPONENTS
|
53 716
|
1.79
|
|
|
|
|
SM5818 |
|
диод Шоттки SMD (30В, 1А/30А)
|
|
|
|
|
|
|
|
SM5818 |
|
диод Шоттки SMD (30В, 1А/30А)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SM5818 |
|
диод Шоттки SMD (30В, 1А/30А)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
SM5818 |
|
диод Шоттки SMD (30В, 1А/30А)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SM5818 |
|
диод Шоттки SMD (30В, 1А/30А)
|
LGE
|
400
|
6.20
|
|
|
|
|
SM5818 |
|
диод Шоттки SMD (30В, 1А/30А)
|
48365
|
|
|
|
|
|
|
SM5818 |
|
диод Шоттки SMD (30В, 1А/30А)
|
1956
|
|
|
|
|
|
|
SM5818 |
|
диод Шоттки SMD (30В, 1А/30А)
|
1556
|
|
|
|
|
|
|
SM5818 |
|
диод Шоттки SMD (30В, 1А/30А)
|
1552
|
|
|
|
Версия для печати
