Версия для печати
Технические характеристики CRCW1206220RJNTA

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	CRCW
Сопротивление (Ом)	220
Мощность (Ватт)	0.25W, 1/4W
Composition	Thick Film
Температурный коэфициент	±200ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±5%
Size / Dimension	0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Высота	0.024" (0.60mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	1206 (3216 Metric)
Tolerance	±5%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Для поверхностного монтажа

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC857BS		Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW	PHILIPS
		BC857BS		Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW	NXP
		BC857BS		Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW		72	12.60
		BC857BS		Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW	NXP
		BC857BS		Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW		72	12.60
		BC857BS		Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW	PHILIPS
		BC857BS		Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW	PANJIT	1 363	4.70
		BC857BS		Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW	YANGJIE (YJ)
		BC857BS		Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW	HOTTECH	7 309	2.14
		BC857BS		Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW	YJ	358 468	1.46
		BC857BS		Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW	KOME	1 469	2.91
		BC857BS		Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW	SUNTAN	29 990	2.22
		BC857BS		Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW	XSEMI	3 744	2.00
		BC857BS		Транзистор n-p-n двойной 45V 100mA 200mW	YANGZHOU YANGJIE	9 381	3.99
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт			13.60
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
		CC1206JRNPO9BN220		Керамический конденсатор 22 пФ 50 В	PHYCOMP
		CC1206JRNPO9BN220		Керамический конденсатор 22 пФ 50 В	PHYCOMP
		CC1206JRNPO9BN220		Керамический конденсатор 22 пФ 50 В	YAGEO	145 774	1.17
		CC1206JRNPO9BN220		Керамический конденсатор 22 пФ 50 В
		CRCW1206330KJNTA			VISHAY
		CRCW1206330KJNTA			VISHAY
		CRCW1206330KJNTA			Vishay/Dale
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRONICS	4 468	40.08
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	UTC
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8			58.92
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	STMicroelectronics
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ON Semiconductor
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	КИТАЙ
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRO
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	1
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	60

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"