25TTS12
Тиристор 25А, 1200В
|
|
Версия для печати
| Current - On State (It (AV)) (Max) | 16A |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.25V |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2V |
| Voltage - Off State | 1200V |
| SCR Type | Sensitive Gate |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 25A |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 45mA |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 100mA |
| Current - Off State (Max) | 500µA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 350A @ 50Hz |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N4007 |
|
DC COMPONENTS | 61 575 | 1.32 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FSC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MCC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DIC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIC | 338 891 | 1.47 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC | 112 369 | 2.83 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JGD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MING SHUN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
QUAN-HONG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
XR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
COMPACT TECHNOLOGY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DC COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD | 288 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT | 307 692 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE SEMICONDUCT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICROSEMI CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KINGTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ | 111 894 | 1.19 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIODES INC. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MOTOROLA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ ELE-NIC CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
RECTIFIER |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA COM-NTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ELECTRICAL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GEMBIRD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТОМИЛИНО |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
КИТАЙ | 800 | 4.54 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
232 605 |
1.66 >100 шт. 0.83 |
|||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ELZET |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ME |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LGE | 33 651 | 1.03 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
HOTTECH | 486 818 | 2.18 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
KLS | 88 000 | 2.07 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE | 4 800 | 1.50 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE (YJ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
WUXI XUYANG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KUU |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
CHINA | 14 461 | 1.09 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNRISETRON |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
UNKNOWN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BILIN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEHE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
1 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNTAN | 79 780 | 1.84 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
TWGMC | 41 274 |
1.38 >500 шт. 0.46 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
CTK |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JUXING | 112 | 1.79 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ASEMI | 17 791 | 1.06 | ||
 |
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный | 11 106 | 34.96 | ||
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный | ОРБИТА |
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный | БРЕСТ | 1 520 | 63.00 | |
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный | ЦВЕТОТРОН | 203 | 76.80 | |
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный | САРАНСК |
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный | ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ |
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный | RUS |
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный | РОССИЯ |
|
|
|
| ES1A | FAIR |
|
|
|||||
| ES1A | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| ES1A | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| ES1A | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| ES1A |
|
|
||||||
| ES1A | YJ | 52 144 | 1.27 | |||||
| ES1A | ONS |
|
|
|||||
| ES1A | YANGJIE |
|
|
|||||
| ES1A | YANGJIE (YJ) |
|
|
|||||
 |
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns | TEXAS INSTRUMENTS | 424 | 49.59 | |
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns | 24 | 75.60 | ||
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns | TEXAS | 1 150 | 34.85 | |
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns | ГЕРМАНИЯ |
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns | TEXAS INSTR |
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns | TEXASINSTRUMENTS |
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns | 1 |
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns | 4-7 НЕДЕЛЬ | 631 |
|
|
 |
КД257Д |
|
3А.1000В | НПП ТЭЗ |
|
|
||
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В | 679 | 272.32 | |||
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В | СЗТП |
|
|
||
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В | ТЭЗ | 80 | 226.80 | ||
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В | ТОМИЛИНО |
|
|
