|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BLD-4КОМПЛЕКТ | HSUAN MAO |
|
|
|||||
|
|
BYV27-200 |
|
Диод | NXP |
|
|
||
|
|
BYV27-200 |
|
Диод | VISHAY |
|
|
||
|
|
BYV27-200 |
|
Диод |
|
56.20 | |||
|
|
BYV27-200 |
|
Диод | КИТАЙ |
|
|
||
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | INTERNATIONAL RECTIFIER | 70 |
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | 40 |
|
||
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | INFINEON |
|
|
|
|
|
MMFT3055ELT1 | MOTOROLA |
|
|