IRFL210PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFL210PBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 580mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	960mA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	140pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFL210PBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFL210PBF datasheet
804 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAW62		FAIR
BAW62		NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAW62		PHILIPS
BAW62		NXP
BAW62
BAW62		NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAW62		PHILIPS	36
BAW62		Fairchild Semiconductor
BAW62		FAIRCHILD
BAW62		NXP	2 367
BSS119	Транзистор полевой SMD, MOSFET, N-CH , 100V, 170мA			6.32
BYV27-200	Диод	NXP
BYV27-200	Диод	VISHAY
BYV27-200	Диод			56.20
BYV27-200	Диод	КИТАЙ
MBRS3200T3G		ON SEMICONDUCTOR
MBRS3200T3G		VISHAY
MBRS3200T3G		ONS
MBRS3200T3G			4	116.00
MBRS3200T3G		ON SEMICONDUCTOR	1 760
MBRS3200T3G		TOKMAS	574	4.44
MBRS3200T3G		FUXIN	6 575	3.48
MBRS3200T3G		ONSEMI
NDC7003P		FAIR
NDC7003P				88.00
NDC7003P		FAIRCHILD
NDC7003P		FAIRCHILD	9
NDC7003P		Fairchild Semiconductor
NDC7003P		ONS