| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IR2113 |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2113 |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
|
1
|
222.00
|
|
|
|
IR2113 |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IR2113 |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2113 |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
595
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
4
|
22.48
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
796
|
82.80
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
3 743
|
29.88
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
5
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
|
|
904.00
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
IR/VISHAY
|
15
|
1 125.45
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 466
|
21.48
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
|
88
|
17.74
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
12
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
MOTOROLA
|
24
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
ST1
|
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
1
|
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
528
|
|
|
|
|
LM224N |
|
Счетверенный операционный усилитель
|
3152
|
|
|
|
|
|
|
К 1156 ЕУ2Р |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К 1156 ЕУ2Р |
|
|
НТЦ СИТ
|
|
|
|