| Корпус | 14-DIP |
| Корпус (размер) | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 3 V ~ 30 V, ±1.5 V ~ 15 V |
| Ток выходной / канал | 70mA |
| Ток выходной | 1.5mA |
| Напряжение входного смещения | 2000µV |
| Ток - входного смещения | 20nA |
| Полоса пропускания | 1.3MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 0.4 V/µs |
| Число каналов | 4 |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Fab Process Change 19/April/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MINOS
|
385
|
24.78
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONS
|
982
|
98.30
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
|
|
76.64
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
82
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
1
|
|
|
|
|
|
|
P6AU-1212ELF |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1Вт, вход 10,8:13,2В, выход 12В/100мА, изоляция 1000В ...
|
PEAK ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
P6AU-1212ELF |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1Вт, вход 10,8:13,2В, выход 12В/100мА, изоляция 1000В ...
|
|
16
|
515.20
|
|
|
|
|
P6AU-1212ELF |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1Вт, вход 10,8:13,2В, выход 12В/100мА, изоляция 1000В ...
|
PEAK
|
|
|
|
|
|
|
P6AU-1212ELF |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1Вт, вход 10,8:13,2В, выход 12В/100мА, изоляция 1000В ...
|
|
16
|
515.20
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
|
6 147
|
6.20
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
BM
|
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
NXU
|
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
NLT
|
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
КИТАЙ
|
216
|
12.40
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
RUICHI
|
1 492
|
8.55
|
|
|
|
|
ИО102-15/1 |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
