Корпус | 14-DIP |
Корпус (размер) | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
Тип монтажа | Выводной |
Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 3 V ~ 30 V, ±1.5 V ~ 15 V |
Ток выходной / канал | 70mA |
Ток выходной | 1.5mA |
Напряжение входного смещения | 2000µV |
Ток - входного смещения | 20nA |
Полоса пропускания | 1.3MHz |
Скорость нарастания выходного напряжения | 0.4 V/µs |
Число каналов | 4 |
Тип усилителя | General Purpose |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Product Change Notification | Fab Process Change 19/April/2007 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
|
5
|
56.70
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS
|
2 778
|
48.86
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
HGSEMI
|
724
|
13.54
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
477
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
|
|
1 329.60
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
|
|
16.80
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MJE13001 |
|
Транзистор структуры NPN, 600В,
|
ONS
|
|
|
|
|
|
ULN2074NE |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2074NE |
|
|
|
|
|
|
|
|
ULN2074NE |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
70
|
|
|
|
|
НАБОР СВЕРЛ Д/ДРЕЛИ 1H055-T |
|
|
PRO'SKIT
|
|
|
|