FDN360P
MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А
|
Напряжение сто-исток 30В |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 298pF @ 15V |
| Power - Max | 460mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | 3-SSOT |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805 - 2.2 КОМ 5% RC0805JR-072K2L (RS-05K222JT) | FENGHUA |
|
|
|||||
| CC0805JRX7R9BB104 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В | YAGEO | 498 860 |
1.32 >500 шт. 0.44 |
|||
| CC0805JRX7R9BB104 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В | YAGEO |
|
|
|||
| CC0805JRX7R9BB104 |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В |
|
|
||||
| DS1066-02M(MW-2M) | CONNFLY |
|
|
|||||
 |
 |
IRF7351TRPBF |
|
International Rectifier |
|
|
||
|
|
|
IRF7351TRPBF |
|
INTERNATIONAL RECTIFIER | 51 |
|
||
|
|
|
IRF7351TRPBF |
|
INFINEON | 4 320 | 58.59 | ||
|
|
|
IRF7351TRPBF |
|
1 560 | 51.51 | |||
|
|
|
IRF7351TRPBF |
|
UMW | 1 120 | 53.73 | ||
| LM1085IS-3.3/NOPB | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM1085IS-3.3/NOPB | TEXAS |
|
|
|||||
| LM1085IS-3.3/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LM1085IS-3.3/NOPB |
|
|
||||||
| LM1085IS-3.3/NOPB | 4-7 НЕДЕЛЬ | 147 |
|
