IRF9Z34
Hexfet® power mosfet
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V |
| Power - Max | 68W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF9Z34 (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КП784А |
|
128.00 | ||||||
| КП784А | МИНСК |
|
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AP432VL-A | DIODES |
|
|
|||||
| AP432VL-A |
|
|
||||||
| AP432VL-A | DC COMPONENTS |
|
|
|||||
| AP432VL-A | DIODES INC. | 11 096 |
|
|||||
| AP432VL-A | Diodes Inc |
|
|
|||||
| AP432VL-A | Diodes/Zetex |
|
|
|||||
| AP432VL-A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 721 |
|
|||||
 |
KA2281 | SAMSUNG |
|
|
||||
|
|
KA2281 |
|
32.52 | |||||
|
|
KA2281 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 679 |
|
||||
 |
LM3916N-1 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM3916N-1 |
|
|
|||||
|
|
LM3916N-1 | NSC |
|
|
||||
|
|
LM3916N-1 | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LM3916N-1 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 507 |
|
||||
 |
|
MBR750 |
|
FAIR |
|
|
||
|
|
|
MBR750 |
|
ВЗПП | 52 | 73.40 | ||
|
|
|
MBR750 |
|
|
|
|||
|
|
|
MBR750 |
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП |
|
|
||
|
|
|
MBR750 |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
MBR750 |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
MBR750 |
|
ВОРОНЕЖ |
|
|
||
|
|
|
MBR750 |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
MBR750 |
|
Diodes Inc |
|
|
||
| КП784А |
|
128.00 | ||||||
| КП784А | МИНСК |
|
|
