Версия для печати
Технические характеристики К140УД17А

Количество каналов	1
Напряжение питания,В	±15
Частота, МГц	0.4
Напряжение смещения, мВ	0.075
Температурный диапазон, C	-10…+70
Тип корпуса	8TO5

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3362H-1-101LF			Bourns Inc
		3362H-1-101LF			BOURNS
		3362H-1-101LF
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления			4.92
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	9 610	2.30
		CFR-25JR-1K0			Yageo
		CFR-25JR-1K0
		IRF9Z34		Hexfet® power mosfet	VISHAY
		IRF9Z34		Hexfet® power mosfet	INTERNATIONAL RECTIFIER	40	86.94
		IRF9Z34		Hexfet® power mosfet
		IRF9Z34		Hexfet® power mosfet	Vishay/Siliconix
		КТ315В КРАСН.
		КТ315В КРАСН.			КВАРЦИТ	1 376	3.15
		КТ315В КРАСН.			НАЛЬЧИК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"