Версия для печати
Технические характеристики К140УД17А

Количество каналов	1
Напряжение питания,В	±15
Частота, МГц	0.4
Напряжение смещения, мВ	0.075
Температурный диапазон, C	-10…+70
Тип корпуса	8TO5

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1-1630478-2			TE Connectivity
		1-1630478-2			TYCO
		1-1630478-2
		1-1630478-2			TE
		3362H-1-101LF			Bourns Inc
		3362H-1-101LF			BOURNS
		3362H-1-101LF
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления			4.92
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	7 154	2.26
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...		1	277.50
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	МИНСК
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	ДАЛЕКС
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	RUS
		КТ315В КРАСН.
		КТ315В КРАСН.			КВАРЦИТ	1 352	3.15
		КТ315В КРАСН.			НАЛЬЧИК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"