Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF9Z34		Hexfet® power mosfet	VISHAY
		IRF9Z34		Hexfet® power mosfet	INTERNATIONAL RECTIFIER	40	86.94
		IRF9Z34		Hexfet® power mosfet
		IRF9Z34		Hexfet® power mosfet	Vishay/Siliconix
		IRFP350		N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP350		N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...	VISHAY
		IRFP350		N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...		24	210.96
		IRFP350		N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...	Vishay/Siliconix
		IRFP350		N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...	КИТАЙ
		IRFP350		N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...	VISHAY/IR

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1-1630478-2			TE Connectivity
		1-1630478-2			TYCO
		1-1630478-2
		1-1630478-2			TE
		3362H-1-101LF			Bourns Inc
		3362H-1-101LF			BOURNS
		3362H-1-101LF
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления			4.92
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	7 154	2.26
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.			57.60
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ФОТОН	15 690	25.20
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	АЛЕКСАНДРОВ
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	RUS
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ЭЛЕКС	532	117.18
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...		1	277.50
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	МИНСК
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	ДАЛЕКС
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"