Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF9Z34		Hexfet® power mosfet	VISHAY
		IRF9Z34		Hexfet® power mosfet	INTERNATIONAL RECTIFIER	26	94.48
		IRF9Z34		Hexfet® power mosfet
		IRF9Z34		Hexfet® power mosfet	Vishay/Siliconix
		IRFP350		N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP350		N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...	VISHAY
		IRFP350		N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...			210.96
		IRFP350		N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...	Vishay/Siliconix
		IRFP350		N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...	КИТАЙ
		IRFP350		N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...	VISHAY/IR

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1-1630478-2			TE Connectivity
		1-1630478-2			TYCO
		1-1630478-2
		1-1630478-2			TE
		3362H-1-101LF			Bourns Inc
		3362H-1-101LF			BOURNS
		3362H-1-101LF
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления		32 000	1.36  >100 шт.   0.68
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR	39	5.09
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	3 160	2.96
		IL5233G			МИНСК
		IL5233G				5
		IL5233G			4-7 НЕДЕЛЬ
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...		48	297.60
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	МИНСК
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	ДАЛЕКС
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"