|
|
Версия для печати
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 10V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
|
PMBTA42DS (Биполярные транзисторы) NPN / NPN high-voltage double transistors
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
LM358(DIP-8) |
|
Двухканальный операционный усилитель |
|
|
||
|
|
|
LM358(DIP-8) |
|
Двухканальный операционный усилитель | PH / NXP |
|
|
|
|
|
|
LM358(DIP-8) |
|
Двухканальный операционный усилитель | PH/NXP | 9 | 16.51 | |
|
|
|
LM393(DIP-8) |
|
Двухканальный компаратор, выход - открытый коллектор |
|
|
||
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD | MOTOROLA |
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD |
|
2.56 | ||
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD | INFINEON | 53 |
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD | MOTOROLA | 2 598 |
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD | OTHER | 308 |
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD | NATIONAL SEMICONDUCTOR | 412 |
|
|
|
|
|
MMBT2907A (2SC5868) |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA |
|
|
||
| К10-17-1Б-М47-15 ПФ-10% | 53 | 16.65 |