Версия для печати
Технические характеристики PMBTA42

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 30mA, 10V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	50MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

PMBTA42DS (Биполярные транзисторы) NPN / NPN high-voltage double transistors Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com PMBTA42 datasheet 75.69Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DC COMPONENTS	222 055	1.17
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DIC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	VISHAY
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DIOTEC	13	1.90  >100 шт.   0.95
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт		38 511	1.29  >500 шт.   0.43
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	VISHAY
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	UTC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KINGTRONICS
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KINGTRON
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	TSC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YJ	946 169	1.55
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	HOTTECH	326 181	0.96  >500 шт.   0.32
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YANGJIE
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YANGJIE (YJ)
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	0.00
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KLS	15 200	2.07
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JSCJ	235 760	1.14  >100 шт.   0.57
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	1
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JINGDAO
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MDD	81 952	0.90  >500 шт.   0.30
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JSMICRO	88 784	1.17  >500 шт.   0.39
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	XXW	818	1.02  >500 шт.   0.34
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KEEN SIDE	318	1.32  >500 шт.   0.44
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MERRYELC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	ST MICROELECTRONICS	64	1.06
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	988
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	RUME	38 400	1.11  >500 шт.   0.37
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	TRR	235 196	1.26  >500 шт.   0.42
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	12 633	3.30
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 285	3.85
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	672	13.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	1 932	4.24
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...			6.68
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	58 889	0.55  >1000 шт.   0.11
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.82  >100 шт.   0.91
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 580	1.91
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	1 368	1.46  >100 шт.   0.73
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	40	1.88  >100 шт.   0.94
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	5725
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	RUME	23 200	1.44  >100 шт.   0.72
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SLKOR	1 520	1.44  >100 шт.   0.72
		BFR93AW			PHILIPS
		BFR93AW				1	38.61
		BFR93AW			PHILIPS
		BFR93AW				1	38.61
		BFR93AW			INFINEON TECH
		FR4 50X100X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ 1-СТ					114.80
		FR4 50X100X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ 1-СТ			ЦПТА
		LP2980AIM5-3.3			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LP2980AIM5-3.3					38.40
		LP2980AIM5-3.3			NSC
		LP2980AIM5-3.3			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LP2980AIM5-3.3			ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LP2980AIM5-3.3			TEXAS INSTRUMENTS	1	42.27
		LP2980AIM5-3.3			4-7 НЕДЕЛЬ	112

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"