Версия для печати
Технические характеристики PMBTA42

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 30mA, 10V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	50MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

PMBTA42DS (Биполярные транзисторы) NPN / NPN high-voltage double transistors Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com PMBTA42 datasheet 75.69Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DC COMPONENTS	336 502	1.96  >100 шт.   0.98
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DIC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	VISHAY
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DIOTEC	10 042	1.68  >100 шт.   0.84
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт		50 354	1.44  >500 шт.   0.48
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	VISHAY
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	UTC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KINGTRONICS
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KINGTRON
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	TSC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YJ	149 971	1.54  >100 шт.   0.77
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	HOTTECH	488 728	1.66  >100 шт.   0.83
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YANGJIE
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YANGJIE (YJ)
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	0.00
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KLS	19 200	2.07
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JSCJ	201 600	1.52  >100 шт.   0.76
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	1
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JINGDAO
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MDD	174 344	1.41  >500 шт.   0.47
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JSMICRO	17 645	1.38  >500 шт.   0.46
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	XXW	15 552	1.04  >100 шт.   0.52
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	5 130	5.08
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 752	4.11
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	952	3.10
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		4 800	1.96  >100 шт.   0.98
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	66 711	0.65  >1000 шт.   0.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	2.00  >100 шт.   1.00
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.02
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		BFR93AW			PHILIPS
		BFR93AW				1	37.36
		BFR93AW			PHILIPS
		BFR93AW				1	37.36
		BFR93AW			INFINEON TECH
		FR4 50X100X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ 1-СТ					114.80
		FR4 50X100X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ 1-СТ			ЦПТА
		LP2980AIM5-3.3			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LP2980AIM5-3.3					38.40
		LP2980AIM5-3.3			NSC
		LP2980AIM5-3.3			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LP2980AIM5-3.3			ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LP2980AIM5-3.3			TEXAS INSTRUMENTS	1	45.54
		LP2980AIM5-3.3			4-7 НЕДЕЛЬ	112

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"