|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
45 272
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
18 844
|
2.10
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
1 608
|
2.10
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
16 236
|
2.95
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
656
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
21 596
|
1.96
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
22 421
|
2.20
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
224 752
|
1.31
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
916
|
1.33
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
2 080
|
2.07
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PANJIT
|
13
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
91 253
|
1.13
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
168 388
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
XSEMI
|
85 440
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BFG67X.215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFP420F |
|
Биполярный транзистор NPN; Uкэ(макс): 4.5 В; Iк(макс): 35 мА; Pрасс: 160 мВт; Fгран: ...
|
|
|
48.00
|
|
|
|
BFP420F |
|
Биполярный транзистор NPN; Uкэ(макс): 4.5 В; Iк(макс): 35 мА; Pрасс: 160 мВт; Fгран: ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFP420F |
|
Биполярный транзистор NPN; Uкэ(макс): 4.5 В; Iк(макс): 35 мА; Pрасс: 160 мВт; Fгран: ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BFP420F |
|
Биполярный транзистор NPN; Uкэ(макс): 4.5 В; Iк(макс): 35 мА; Pрасс: 160 мВт; Fгран: ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BFP420F |
|
Биполярный транзистор NPN; Uкэ(макс): 4.5 В; Iк(макс): 35 мА; Pрасс: 160 мВт; Fгран: ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BFP420F |
|
Биполярный транзистор NPN; Uкэ(макс): 4.5 В; Iк(макс): 35 мА; Pрасс: 160 мВт; Fгран: ...
|
INFINEON TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
MC34119L-S08 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MC34119L-S08 |
|
|
|
|
|
|
|
|
MC34119L-S08 |
|
|
UNISONIC TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
MC34119L-S08 |
|
|
|
|
|
|
|
|
MC34119L-S08 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
369
|
|
|
|
|
ГИ401А |
|
Диоды германиевые обращенные мезасплавные, для работы в переключающих устройствах, ...
|
ОПТРОН
|
|
|
|
|
|
ГИ401А |
|
Диоды германиевые обращенные мезасплавные, для работы в переключающих устройствах, ...
|
|
|
|
|