BFP405

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BFP405		47.28

Версия для печати

Технические характеристики BFP405

Корпус	PG-SOT343-4
Корпус (размер)	SC-82A, SOT-343
Тип монтажа	Поверхностный
Current - Collector (Ic) (Max)	25mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 5mA, 4V
Power - Max	75mW
Gain	23dB
Noise Figure (dB Typ @ f)	1.25dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition	25GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	5V
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BFP405

NPN Silicon RF Transistor (For low current applications For oscillators up to 12 GHz)

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BFP405 datasheet
51.84Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3314G-1-201E	Подстроечный резистор 200 Ом	BOURNS
3314G-1-201E	Подстроечный резистор 200 Ом	BOURNS	235
3314G-1-201E	Подстроечный резистор 200 Ом	Bourns Inc
3314G-1-201E	Подстроечный резистор 200 Ом
3314J-1-503E	Подстроечный резистор 50 кОм	BOURNS
3314J-1-503E	Подстроечный резистор 50 кОм	Bourns Inc
3314J-1-503E	Подстроечный резистор 50 кОм
HSMS-2803-TR1		AGILENT TECHNOLOGIES
HSMS-2803-TR1		HEWLETT PACKARD
HSMS-2803-TR1		AGILENT TECHNOLOGIES
HSMS-2803-TR1		HEWLETT PACKARD	1 523
HSMS-2803-TR1		AVAGO TECHNOLOGIES	1 684
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	CHINA
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MUR	1 603	17.59
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812			24.60
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
SDR0503-153JL				31.88
SDR0503-153JL		BOURNS