Версия для печати
Технические характеристики MAX3222CWN

Корпус	18-SOIC W
Корпус (размер)	18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Напряжение питания	3 V ~ 5.5 V
Protocol	RS232
Number of Drivers/Receivers	2/2
Тип	Transceiver
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

MAX3222 (Интерфейсы и соединения) 3.0V to 5.5V, Low-Power, up to 1Mbps, True RS-232 Transceivers Using Four 0.1and#181;F External Capacitors Также в этом файле: MAX3222CWN Производитель: Maxim Integrated Products //www.maxim-ic.com MAX3222CWN datasheet 268.35Kb 16стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Интерфейсы

 » 

Драйверы, приемники, передатчики

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		293D226X9016C2TE3			Vishay/Sprague
		293D226X9016C2TE3			VISHAY	10 609	26.64
		293D226X9016C2TE3			VISHAY
		293D226X9016C2TE3
		293D226X9016C2TE3			VISНAY
		LM1117MPX-ADJ/NOPB		SOT223	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117MPX-ADJ/NOPB		SOT223	NSC
		LM1117MPX-ADJ/NOPB		SOT223	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117MPX-ADJ/NOPB		SOT223	TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117MPX-ADJ/NOPB		SOT223	TEXAS INSTRUMEN
		LM1117MPX-ADJ/NOPB		SOT223	TEXAS INSTRUMENTS	40	86.39
		LM1117MPX-ADJ/NOPB		SOT223	TEXAS	931	43.71
		LM1117MPX-ADJ/NOPB		SOT223
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONS	15 048	3.19
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	4 821
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONS-FAIR
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONSEMI
		SN74HC02PWR			TEXAS INSTRUMENTS
		SN74HC02PWR			TEXAS INSTRUMENTS
		SN74HC02PWR
		SN74HC02PWR			TEXAS	804	23.60
		SN74HC02PWR			4-7 НЕДЕЛЬ	637
		T491A475K016AT		Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В	KEMET	11 478	11.04
		T491A475K016AT		Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В			7.56
		T491A475K016AT		Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В	KEMET	2 460
		T491A475K016AT		Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В	МЕКСИКА
		T491A475K016AT		Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В	KEM

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"