Версия для печати
Технические характеристики LM1117MPX-ADJ/NOPB

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Топология регулятора	Positive Adjustable
Напряжение выходное	1.25 V ~ 13.8 V
Напряжение входное	2.65 V ~ 15 V
Напряжение - падение (Typ.)	1.2V @ 800mA
Число регуляторов	1
Ток выходной	800mA
Ток минимальный предел тока	800mA
Рабочая температура	0°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Регуляторы напряжения

 » 

Регуляторы напряжения линейные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC847BW		SOT323	NXP
		BC847BW		SOT323	PHILIPS
		BC847BW		SOT323		94 705	1.06
		BC847BW		SOT323	MCC
		BC847BW		SOT323	PHILIPS	5 248
		BC847BW		SOT323	INFINEON TECH
		BC847BW		SOT323	NXP	1 797
		BC847BW		SOT323	PHI
		BC847BW		SOT323	DIOTEC
		BC847BW		SOT323	YANGJIE (YJ)
		BC847BW		SOT323	YJ	54 763	2.07
		BC847BW		SOT323	FULIHAO TECH	1 360	3.10
		BC847BW		SOT323	KEEN SIDE	16 312	1.86  >100 шт.   0.93
		BC847BW		SOT323	MERRYELC
		BC847BW		SOT323	YANGJIE
		BC847BW		SOT323	3000
		BC847BW		SOT323	55882
		BC847BW		SOT323	1346
		BC847BW		SOT323	1338
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	NXP
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт			34.40
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	КИТАЙ
		BFG425W		Транзистор NPN-HF 4,5В 30мА 135мВт 25ГГц	NXP
		BFG425W		Транзистор NPN-HF 4,5В 30мА 135мВт 25ГГц	PHILIPS
		BFG425W		Транзистор NPN-HF 4,5В 30мА 135мВт 25ГГц			55.44
		BFG425W		Транзистор NPN-HF 4,5В 30мА 135мВт 25ГГц	NXP
		BFG425W		Транзистор NPN-HF 4,5В 30мА 135мВт 25ГГц	PHILIPS	365
		LM1117MPX-1.8/NOPB			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117MPX-1.8/NOPB			NSC
		LM1117MPX-1.8/NOPB			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117MPX-1.8/NOPB			TEXAS INSTRUMEN
		LM1117MPX-1.8/NOPB			TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117MPX-1.8/NOPB			TEXAS
		LM1117MPX-1.8/NOPB
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONS
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	4 821
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONS-FAIR
		MMBT2222ALT1G		Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONSEMI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"