|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRONICS
|
728
|
58.37
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
|
1
|
40.32
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
HOTTECH
|
12 206
|
20.11
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
1
|
|
|
|
|
|
FSCQ1565RT |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=13.3A, 20kHz, Pout<210W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FSCQ1565RT |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=13.3A, 20kHz, Pout<210W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FSCQ1565RT |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=13.3A, 20kHz, Pout<210W
|
|
|
|
|
|
|
FSCQ1565RT |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=13.3A, 20kHz, Pout<210W
|
США
|
|
|
|
|
|
FSCQ1565RT |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=13.3A, 20kHz, Pout<210W
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
FSCQ1565RT |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=13.3A, 20kHz, Pout<210W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FSCQ1565RT |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=13.3A, 20kHz, Pout<210W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FSCQ1565RT |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=13.3A, 20kHz, Pout<210W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
275
|
|
|
|
|
KA3525A |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KA3525A |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
KA3525A |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
|
|
84.00
|
|
|
|
KA3525A |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
KA3525A |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
FAIRCHILD
|
4
|
143.64
|
|
|
|
KA3525A |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
ONS
|
66
|
178.74
|
|
|
|
KA3525A |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
KA3525A |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
FSC
|
|
|
|
|
|
KA3525A |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
599
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 437
|
54.16
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
|
|
40.56
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
MOTOROLA
|
17
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP3170ADR2G |
|
|
ONS
|
2 070
|
51.47
|
|
|
|
NCP3170ADR2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP3170ADR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
456
|
|
|
|
|
NCP3170ADR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
NCP3170ADR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
7 895
|
73.50
|
|
|
|
NCP3170ADR2G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
158
|
|
|