Версия для печати
Технические характеристики FSCQ1565RT

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Изоляция выхода	Isolated
Частотный диапозон	18 ~ 22kHz
Напряжение входное	9 V ~ 20 V
Напряжение выходное	650V
Мощность (Ватт)	210W
Рабочая температура	25°C ~ 150°C
Корпус (размер)	TO-220-5 Full Pack (Formed Leads)
Корпус	TO-220F-5L (Forming)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1695		Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)	SANKEN
		2SA1695		Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)	SK
		2SA1695		Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)	FAIR
		2SA1695		Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)			188.48
		2SA1695		Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)	ФИЛИППИНЫ
		2SA1695		Биполярный транзистор PNP (Hi-Fi, 140V, 10A, 100W, 20MHz)	ISCSEMI
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FAIR
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...			937.60
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FAIRCHILD
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FAIRCHILD
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	Diodes Inc
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	Fairchild Semiconductor
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	FSC
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	ONS
		GBPC3508		Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...	ONS-FAIR
		KA3525A		SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем	FAIR
		KA3525A		SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем	SAMSUNG
		KA3525A		SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем			84.00
		KA3525A		SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем	Fairchild Semiconductor
		KA3525A		SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем	FAIRCHILD	4	143.64
		KA3525A		SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем	ONS	66	178.74
		KA3525A		SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем	ONS-FAIR
		KA3525A		SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем	FSC
		KA3525A		SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем	4-7 НЕДЕЛЬ	599
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRONICS	1 437	54.16
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...			40.56
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA	17
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	STMicroelectronics
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	США
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ИНДИЯ
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRO
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMI/FAIRCH
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ONSEMICONDUCTOR
		SQP700JB-0R47			YAGEO	220	26.35

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"