Версия для печати
Технические характеристики C1206C476M8PACTU

Температурный коэфициент	X5R
Номинальное напряжение	10 В
Емкость	47 мкФ
Корпус (размер)	1206
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±20%
Tolerance	±20%
Рабочая температура	-55°C ~ 85°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Thickness	0.071" (1.80mm)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	FSC
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	AGILENT TECHNOLOGIES
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	HEWLETT PACKARD
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	VISHAY
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	Lite-On Inc
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	Vishay/Semiconductors
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	FAIRCHILD	1 529	72.61
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	EVLT
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	EVL	6 772	28.25
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	Avago Technologies US Inc
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	Fairchild Optoelectronics Group
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	TEXAS INSTRUMENTS
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	ISO
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	LIT
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	TOSHIBA
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	EVERLIGHT	1	36.30
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	ON SEMI/FAIRCH
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	ONSEMICONDUCTOR
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс		33	61.05
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	LITE-ON
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	TOSHIBA	266	72.61
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	LITE ON OPTOELECTRONICS
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	ERL
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	ONS
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	0.00
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	1
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	CT-MICRO
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	EVERLLIGHT
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	JIE
		6N137		Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс	927
		ATTINY2313A-SU		Микроконтроллер 20МГц, EEPROM: 128 байт, ОЗУ: 128 байт, 8 бит, I/O 18, 2 Кб	ATMEL	4	112.55
		ATTINY2313A-SU		Микроконтроллер 20МГц, EEPROM: 128 байт, ОЗУ: 128 байт, 8 бит, I/O 18, 2 Кб		1 336	213.12
		ATTINY2313A-SU		Микроконтроллер 20МГц, EEPROM: 128 байт, ОЗУ: 128 байт, 8 бит, I/O 18, 2 Кб	США
		ATTINY2313A-SU		Микроконтроллер 20МГц, EEPROM: 128 байт, ОЗУ: 128 байт, 8 бит, I/O 18, 2 Кб	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ATTINY2313A-SU		Микроконтроллер 20МГц, EEPROM: 128 байт, ОЗУ: 128 байт, 8 бит, I/O 18, 2 Кб	MICRO CHIP	1 689	179.67
		ATTINY2313A-SU		Микроконтроллер 20МГц, EEPROM: 128 байт, ОЗУ: 128 байт, 8 бит, I/O 18, 2 Кб	4-7 НЕДЕЛЬ	642
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP	1 036	2.12
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	400	5.47
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PHILIPS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	55 818	1.28
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)		95 194	1.76  >100 шт.   0.88
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	WTE
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DIOTEC	110 390	1.48
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	GALAXY
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD	14 586
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP	9 216
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PHILIPS	626
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DIODES INC.	1 126
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	КИТАЙ	80	1.50
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	UTC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	MCC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NEXPERIA	1 291	1.08
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONS-FAIR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	GALAXY ME
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PANJIT
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	LRC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	HOTTECH	35 610	1.36  >100 шт.   0.68
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	KLS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PANJIT
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	SEMTECH	5	2.22
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	SUNTAN
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	WUXI XUYANG
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YJ	202 898	1.03
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YANGJIE	100 800	1.12
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YOUTAI	71 900	1.30  >100 шт.   0.65
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	JSCJ	205 054	1.03
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ASEMI	4 996	1.26  >100 шт.   0.63
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	KEEN SIDE	38 236	1.38  >100 шт.   0.69
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP(PHILIPS)
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ZITEK	16 800	1.70
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	1296
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	21000
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	HEXPERIA
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	1231
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	5891
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	RUME	36 000	1.24  >100 шт.   0.62
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	TRR	120 000	1.24  >100 шт.   0.62
		CC0805JRNPO9BN471		Керамический конденсатор 470 пФ 50 В	YAGEO	172 606	1.08  >500 шт.   0.36
		CC0805JRNPO9BN471		Керамический конденсатор 470 пФ 50 В	YAGEO
		CC0805JRNPO9BN471		Керамический конденсатор 470 пФ 50 В
		IRFR1018EPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR1018EPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)
		IRFR1018EPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)	INFINEON	2 320	123.98

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"