IRFR1018EPBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR1018EPBF (INFINEON)	2 320	91.95

Версия для печати

Технические характеристики IRFR1018EPBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 47A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	79A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	69nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2290pF @ 50V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR1018EPBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFR1018EPBF datasheet
367 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CC0805KKX5R7BB106	Керамический конденсатор 10 мкФ 16 В	YAGEO	241 535	1.24 >100 шт. 0.62
CC0805KKX5R7BB106	Керамический конденсатор 10 мкФ 16 В
CD4046BNSR		TEXAS INSTRUMENTS
CD4046BNSR			4
CD4046BNSR		TEXAS
CD4046BNSR		4-7 НЕДЕЛЬ	170
LCD2004 [5V BLUE BACKLIGHT]		WAVESHAR
LCD2004 [5V BLUE BACKLIGHT]
MAX4420ESA+	Быстродействующий, 6А, одноканальный драйвер MOSFET	MAXIM
MAX4420ESA+	Быстродействующий, 6А, одноканальный драйвер MOSFET	MAX
MAX4420ESA+	Быстродействующий, 6А, одноканальный драйвер MOSFET	Maxim Integrated Products
К1033ЕУ16БР	ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.			89.28
К1033ЕУ16БР	ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	RUS
К1033ЕУ16БР	ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	НТЦ СИТ
К1033ЕУ16БР	ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	КРЕМНИЙ	52	160.06