МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 6П15П | 4 | 100.44 | ||||||
| 6П15П | ОРЕЛ |
|
|
|||||
| К77-1-3300ПФ-400В 10% | ПОЛИКОНД |
|
|
|||||
| К77-1-3300ПФ-400В 10% |
|
|
||||||
 |
 |
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | КРЕМНИЙ | 31 | 46.85 | |
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | 234 | 75.60 | ||
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | БРЯНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ТРАНЗИСТОР | 30 | 96.09 | |
| МР20-2 СБ-12А ЧГ | 11 600 |
|
||||||
| МР20-2 СБ-12А ЧГ | 11 600 |
|
||||||
| МР20-2 СБ-12А ЧР | 5 200 |
|
||||||
| МР20-2 СБ-12А ЧР | 5 200 |
|
