МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SJ377 | TOSHIBA |
|
|
|||||
| 2SJ377 |
|
200.00 | ||||||
| 2SJ377 | TOS |
|
|
|||||
| 2SJ377 | SK |
|
|
|||||
| КПП-2Х5/285 КОНДЕНСАТОР ПЕРЕМ. ЕМКОСТИ |
|
|
||||||
 |
 |
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | КРЕМНИЙ | 49 | 46.85 | |
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | 428 | 25.76 | ||
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | БРЯНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
| МР20-2 СБ-12А ЧГ | 11 600 |
|
||||||
| МР20-2 СБ-12А ЧГ | 11 600 |
|
||||||
| МР20-2 СБ-12А ЧР | 5 200 |
|
||||||
| МР20-2 СБ-12А ЧР | 5 200 |
|
