МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 6К4П-ЕВ |
|
288.00 | ||||||
| 6К4П-ЕВ | НОВОСИБИРСК | 21 | 318.00 | |||||
| КЕР.ЧИП КОНД. 2200ПФ X7R 50В,10%, 0805 | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
 |
 |
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | КРЕМНИЙ | 311 | 39.04 | |
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | 454 | 33.12 | ||
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | БРЯНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
| МР20-2 СБ-12А ЧГ | 11 600 |
|
||||||
| МР20-2 СБ-12А ЧГ | 11 600 |
|
||||||
| МР20-2 СБ-12А ЧР | 5 200 |
|
||||||
| МР20-2 СБ-12А ЧР | 5 200 |
|
