| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
3313S-1-103E |
|
Потенциометр 10 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3313S-1-103E |
|
Потенциометр 10 кОм
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3313S-1-103E |
|
Потенциометр 10 кОм
|
|
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MURATA
|
17 908
|
1.46
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
|
140
|
4.68
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MUR
|
384 381
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
|
DFE252012P-1R5M=P2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
DFE252012P-1R5M=P2 |
|
|
MUR
|
249
|
5.72
|
|
|
|
|
MC100EPT21DG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC100EPT21DG |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC100EPT21DG |
|
|
|
|
809.40
|
|
|
|
|
MC100EPT21DG |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
95
|
|
|
|
|
 |
SN74LVC1G34DCKR |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G34DCKR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
728
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G34DCKR |
|
|
|
4
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G34DCKR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G34DCKR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
421
|
|
|
Версия для печати
