STM32L412RBT6

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STM32L412RBT6 (4-7 НЕДЕЛЬ)	240	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3313S-1-103E	Потенциометр 10 кОм	BOURNS
3313S-1-103E	Потенциометр 10 кОм	Bourns Inc
3313S-1-103E	Потенциометр 10 кОм
AD8426ACPZ-WP
AD8426ACPZ-WP		ANALOG DEVICES
AD8426ACPZ-WP		4-7 НЕДЕЛЬ	285
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA	115 724	2.25
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C		140	4.68
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MUR	448 964	1.05
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	Murata Electronics North America
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	ЯПОНИЯ
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA*
SIS478DN-T1-GE3
SN74LVC1G34DCKR		Texas Instruments
SN74LVC1G34DCKR		TEXAS INSTRUMENTS	728
SN74LVC1G34DCKR			4
SN74LVC1G34DCKR		TEXAS
SN74LVC1G34DCKR		4-7 НЕДЕЛЬ	421