EC24-151K / LGA0307-151K

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA			14.28
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	FAIR
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	NXP
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	FSC
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	PHILIPS
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	PHILIPS
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	Fairchild Semiconductor
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	ON Semiconductor
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST MICROELECTRONICS
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В			34.00
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	STMICROELECTRONICS
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	СИНГАПУР
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST1
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST MICROELECTRO
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	---
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	STMICROELECTR
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	4-7 НЕДЕЛЬ	375
ГД507А	Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА			4.80
ГД507А	Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА	ЭЛЕКС
КВ139А			250	18.50
КВ139А		ДНЕПР